Image is for reference only , details as Specifications

RT1C060UNTR

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RT1C060UNTR
Descrição:	MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Not For New Designs
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	650mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-TSST
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V