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SCT3120ALGC11

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SCT3120ALGC11
Descrição:	MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	+22V, -4V
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 3.33mA
Temperatura operacional	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156mOhm @ 6.7A, 18V
Dissipação de energia (Max)	103W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-247N
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 18V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 500V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V