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UMF8NTR

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: UMF8NTR
Descrição: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Not For New Designs
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Frequência - Transição 250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores UMT6
Resistor - Base de Emissores (R2) 47kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V, 15V

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