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UMH3NTN

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: UMH3NTN
Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número da parte base *MH3
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequência - Transição 250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores UMT6
Resistor - Base de Emissores (R2) -
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) -
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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