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HAT2173HWS-E

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: HAT2173HWS-E
Descrição: MOSFET N-CH LFPAK-5
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-100, SOT-669
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 20mA
Temperatura operacional 150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 30W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 5-LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4350pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V

Em estoque 88 pcs

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