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HAT2210RWS-E

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: HAT2210RWS-E
Descrição: MOSFET N-PAK 8SOP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual), Schottky
Fet recurso Logic Level Gate, 4.5V Drive
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.5W (Ta)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 7.5A (Ta), 8A (Ta)

Em estoque 80 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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