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RJH65D27BDPQ-A0#T2

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: RJH65D27BDPQ-A0#T2
Descrição: IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 175nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 375W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Comutação de energia 1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 20ns/165ns
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247A
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A
Tempo de recuperação reverso (trr) 80ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 61 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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