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RJK2009DPM-00#T0

Fabricantes:	Renesas Electronics America
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	RJK2009DPM-00#T0
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-3PFM, SC-93-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	-
Temperatura operacional	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	60W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-3PFM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	40A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V