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RJK6018DPM-00#T1

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: RJK6018DPM-00#T1
Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3PFM, SC-93-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id -
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max) 60W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3PFM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 54 pcs

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