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RJM0603JSC-00#12

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: RJM0603JSC-00#12
Descrição: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série Automotive, AEC-Q101
Fet tipo 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Embalagem Tray
Fet recurso Logic Level Gate, 4.5V Drive
Parte Status Active
Potência - Máximo 54W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Temperatura operacional 175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 20-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 20A

Em estoque 73 pcs

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