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RQA0011DNS#G0

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: RQA0011DNS#G0
Descrição: MOSFET N-CH HWSON2
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 3-DFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 1mA
Temperatura operacional 150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Dissipação de energia (Max) 15W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 2-HWSON (5x4)
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 16V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -

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