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SCTWA50N120

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SCTWA50N120
Descrição:	MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	+25V, -10V
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Número da parte base	SCTWA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69mOhm @ 40A, 20V
Dissipação de energia (Max)	318W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	HiP247™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 20V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V