Image is for reference only , details as Specifications

STB100N6F7

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STB100N6F7
Descrição:	MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	STripFET™ F7
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número da parte base	STB100N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1980pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V