Image is for reference only , details as Specifications

STB10N65K3

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STB10N65K3
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	SuperMESH3™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número da parte base	STB10N6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)	150W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V