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STB10NK60Z-1

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STB10NK60Z-1
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	SuperMESH™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Not For New Designs
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número da parte base	STB10N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	115W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V