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STB11NM60N-1

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STB11NM60N-1
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	MDmesh™ II
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número da parte base	STB11N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	90W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V