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STB120N4F6

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STB120N4F6
Descrição:	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	DeepGATE™, STripFET™ VI
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número da parte base	STB120N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max)	110W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V