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STB18NM60ND

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: STB18NM60ND
Descrição: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série FDmesh™ II
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número da parte base STB18N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 110W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 778 pcs

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