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STB4NK60Z-1

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: STB4NK60Z-1
Descrição: MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série SuperMESH™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Not For New Designs
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número da parte base STB4N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max) 70W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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