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STD9HN65M2

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STD9HN65M2
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	MDmesh™ M2
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número da parte base	STD9H
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	820mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	60W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V