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STGW10M65DF2

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: STGW10M65DF2
Descrição: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série M
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 28nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 115W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Número da parte base STGW10
Comutação de energia 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 19ns/91ns
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
Tempo de recuperação reverso (trr) 96ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 20A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 40A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 4 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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