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STGWA80H65DFB

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: STGWA80H65DFB
Descrição: IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 414nC
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 469W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Número da parte base STGWA80
Comutação de energia 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 84ns/280ns
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247 Long Leads
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Tempo de recuperação reverso (trr) 85ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 120A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 240A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 262 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.50 $7.35 $7.20
Mínimo: 1

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