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STH110N10F7-6

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: STH110N10F7-6
Descrição: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DeepGATE™, STripFET™ VII
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Número da parte base STH110
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V
Dissipação de energia (Max) 150W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores H2PAK-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5117pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 72 pcs

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