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STH80N10F7-2

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STH80N10F7-2
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	DeepGATE™, STripFET™ VII
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número da parte base	STH80N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max)	110W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	H2Pak-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V