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STI19NM65N

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: STI19NM65N
Descrição: MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série MDmesh™ II
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número da parte base STI19N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 7.75A, 10V
Dissipação de energia (Max) 150W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 15.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 88 pcs

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