A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

STP11N65M2

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STP11N65M2
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	MDmesh™ II Plus
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3
Número da parte base	STP11N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	670mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	85W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V