Image is for reference only , details as Specifications

STQ2HNK60ZR-AP

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STQ2HNK60ZR-AP
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	SuperMESH™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Número da parte base	STQ2
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-92-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	500mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V