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STS9P2UH7

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	STS9P2UH7
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	STripFET™
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base	STS9P
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	2.7W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 16V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V