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ES3JB M4G
| Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Categoria de produto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Folha de dados: | ES3JB M4G |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Categoria de produto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Tipo de diodo | Standard |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | DO-214AA, SMB |
| Capacitance @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | DO-214AA (SMB) |
| Tempo de recuperação reverso (trr) | 35ns |
| Atual - Vazamento reverso @ Vr | 10µA @ 600V |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Atual - Médio Corrigido (Io) | 3A |
| Temperatura operacional - Junção | -55°C ~ 150°C |
| Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se | 1.45V @ 3A |
Em estoque 54 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.16 | $0.16 | $0.15 |
Mínimo: 1
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