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F1T6GHA0G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto: Diodes - Rectifiers - Single
Folha de dados: F1T6GHA0G
Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidade Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Série Automotive, AEC-Q101
Embalagem Tape & Box (TB)
Tipo de diodo Standard
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso T-18, Axial
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TS-1
Tempo de recuperação reverso (trr) 500ns
Atual - Vazamento reverso @ Vr 5µA @ 800V
Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Atual - Médio Corrigido (Io) 1A
Temperatura operacional - Junção -55°C ~ 150°C
Tensão - Forward (Vf) (Max) @ Se 1.3V @ 1A

Em estoque 57 pcs

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