A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

TSM085N03PQ33 RGG

Fabricantes:	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TSM085N03PQ33 RGG
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max)	37W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PDFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	817pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V