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TSM10N80CI C0G

Fabricantes:	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TSM10N80CI C0G
Descrição:	MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Dissipação de energia (Max)	48W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	ITO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2336pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V