TSM110NB04LCR RLG
Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | TSM110NB04LCR RLG |
Descrição: | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.1W (Ta), 68W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-PDFN (5x6) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 40V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1269pF @ 20V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 54A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em estoque 4995 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1