Image is for reference only , details as Specifications
TSM4ND65CI
| Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | TSM4ND65CI |
| Descrição: | 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | - |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tube |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 41.6W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ITO-220 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 650V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 596pF @ 50V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 3972 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.08 | $1.06 | $1.04 |
Mínimo: 1
Citação de solicitação
Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível
Bargain Finds
