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TSM60NB190CI C0G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TSM60NB190CI C0G
Descrição: MOSFET N-CH 600V 18A ITO220
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 33.8W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores ITO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1273pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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