TSM60NB190CI C0G
Fabricantes: | Taiwan Semiconductor Corporation |
---|---|
Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | TSM60NB190CI C0G |
Descrição: | MOSFET N-CH 600V 18A ITO220 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 33.8W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | ITO-220AB |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1273pF @ 100V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 3992 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.71 | $2.66 | $2.60 |
Mínimo: 1