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TSM80N1R2CH C5G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TSM80N1R2CH C5G
Descrição: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipação de energia (Max) 110W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-251 (IPAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 685pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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