Image is for reference only , details as Specifications

TC58BVG1S3HBAI6

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Categoria de produto: Memory
Folha de dados: TC58BVG1S3HBAI6
Descrição: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Categoria de produto Memory
Série Benand™
Embalagem Tray
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Tempo de acesso 25ns
Tamanho da memória 2Gb (256M x 8)
Tipo de memória Non-Volatile
Parte Status Active
Formato de memória FLASH
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 67-VFBGA
Interface da memória Parallel
Tensão - Fornecimento 2.7V ~ 3.6V
Temperatura operacional -40°C ~ 85°C (TA)
Pacote de dispositivos de fornecedores 67-VFBGA (6.5x8)
Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página 25ns

Em estoque 23 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.41 $3.34 $3.27
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

BR24T02FV-WE2
ROHM Semiconductor
$0
FT25C08A-UTR-B
Fremont Micro Devices Ltd
$0.14
11AA010T-I/SN
Lanka Micro
$0.19
11LC010T-I/SN
Lanka Micro
$0.19
CAT25080YI-GT3JN
ON Semiconductor
$0.18