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TH58BYG2S3HBAI4
| Fabricantes: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| Categoria de produto: | Memory |
| Folha de dados: | TH58BYG2S3HBAI4 |
| Descrição: | 4G SLC NAND BGA 24NM |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| Categoria de produto | Memory |
| Série | Benand™ |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Parte Status | Active |
| Formato de memória | FLASH |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 63-VFBGA |
| Interface da memória | - |
| Tensão - Fornecimento | - |
| Temperatura operacional | -40°C ~ 85°C |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 63-TFBGA (9x11) |
| Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página | - |
Em estoque 210 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.50 | $6.37 | $6.24 |
Mínimo: 1
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