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TH58BYG2S3HBAI6

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Categoria de produto: Memory
Folha de dados: TH58BYG2S3HBAI6
Descrição: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Categoria de produto Memory
Série Benand™
Embalagem Tray
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Tempo de acesso 25ns
Tamanho da memória 4Gb (512M x 8)
Tipo de memória Non-Volatile
Parte Status Active
Formato de memória FLASH
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 67-VFBGA
Interface da memória Parallel
Tensão - Fornecimento 1.7V ~ 1.95V
Temperatura operacional -40°C ~ 85°C (TA)
Pacote de dispositivos de fornecedores 67-VFBGA (6.5x8)
Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página 25ns

Em estoque 338 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.13 $5.03 $4.93
Mínimo: 1

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