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TC58NVG2S3EBAI5

Fabricantes: Toshiba Memory
Categoria de produto: USB Flash Drives
Folha de dados: TC58NVG2S3EBAI5
Descrição: NAND Flash 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Rohs Details
Marca Toshiba Memory
Velocidade 25 ns
Produto NAND Flash
Embalagem Tray
Tamanho da memória 4 Gbit
Tipo de memória NAND
Subcategoria Memory & Data Storage
Tipo de tempo Synchronous
Arquitetura Block Erase
Fabricante Toshiba
Organização 512 M x 8
Tipo de produto NAND Flash
Largura de ônibus de dados 8 bit
Tipo de interface Parallel
Estilo de montagem SMD/SMT
Pacote / Caso TFBGA-63
Categoria de produto NAND Flash
Umidade sensível Yes
Corrente de fornecimento - Max 30 mA
Voltagem da fonte - máximo 3.6 V
Tensão da fonte - Min 2.7 V
Quantidade do bloco da fábrica 180
Frequência máxima do relógio -
Temperatura máxima de operação + 85 C
Temperatura operacional mínima - 40 C

Em estoque 71 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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