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TH58NYG2S3HBAI6
| Fabricantes: | Toshiba Memory |
|---|---|
| Categoria de produto: | USB Flash Drives |
| Folha de dados: | TH58NYG2S3HBAI6 |
| Descrição: | NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Marca | Toshiba Memory |
| Embalagem | Tray |
| Tamanho da memória | 4 Gbit |
| Tipo de memória | NAND |
| Subcategoria | Memory & Data Storage |
| Fabricante | Toshiba |
| Organização | 512 M x 8 |
| Tipo de produto | NAND Flash |
| Largura de ônibus de dados | 8 bit |
| Tipo de interface | Parallel |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Pacote / Caso | VFBGA-67 |
| Categoria de produto | NAND Flash |
| Umidade sensível | Yes |
| Voltagem da fonte - máximo | 1.95 V |
| Tensão da fonte - Min | 1.7 V |
| Quantidade do bloco da fábrica | 210 |
| Temperatura máxima de operação | + 85 C |
| Temperatura operacional mínima | - 40 C |
Em estoque 84 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.10 | $4.02 | $3.94 |
Mínimo: 1
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