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2SA1020-Y,T6NSF(J

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SA1020-Y,T6NSF(J
Descrição: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 900mW
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor PNP
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 100MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-92MOD
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 2A
Atual - Corte de colecionador (Max) 1µA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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