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2SA1930(Q,M)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SA1930(Q,M)
Descrição: TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
Tipo de transistor PNP
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220NIS
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 2A
Atual - Corte de colecionador (Max) 5µA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 180V

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