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2SA1955FVBTPL3Z

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SA1955FVBTPL3Z
Descrição: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-723
Tipo de transistor PNP
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 130MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores VESM
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 400mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 12V

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