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2SC2235-Y(T6ND,AF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SC2235-Y(T6ND,AF
Descrição: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 900mW
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 120MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-92MOD
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 800mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 120V

Em estoque 63 pcs

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