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2SD1221-Y(Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SD1221-Y(Q)
Descrição: TRANS NPN 60V 3A PW MOLD
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 3MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores PW-MOLD
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1V @ 300mA, 3A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 3A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100µA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 60V

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