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2SD1407A-Y(F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: 2SD1407A-Y(F)
Descrição: TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 30W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 12MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220NIS
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 2V @ 400mA, 4A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 5A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100µA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 100V

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