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2SJ360(F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: 2SJ360(F)
Descrição: MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo P-Channel
Embalagem Bulk
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-243AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 500mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores PW-MINI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

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