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2SJ668(TE16L1,NQ)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
| Descrição: | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | U-MOSIII |
| Fet tipo | P-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Temperatura operacional | 150°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 20W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PW-MOLD |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 60V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Em estoque 64 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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