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2SK2845(TE16L1,Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: 2SK2845(TE16L1,Q)
Descrição: MOSFET N-CH 900V 1A DP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 40W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores DP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 900V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 60 pcs

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